ビシェイ、高電力自動車モータードライブアプリケーション向けMOSFETを発表

ビシェイ・インターテクノロジーは、AEC-Q101準拠の40V n-チャネルTrenchFETパワーMOSFETの新製品を発表した。

SQM200N04-1m1Lは、同社初の7-pinD2PAKパッケージで提供される低い抵抗値と高い定格電流が特長の車載用途向けパワーMOSFET。

高密度n-チャネルTrenchFETテクノロジーにより10Vで最大1.1mΩ、4.5Vで最大1.3mΩの超低オン抵抗値を実現し、デバイスの導通損失を最小限にし、発熱を抑えた。200Aの連続ドレイン電流を保持し、安全重視のプリケーションに余地を持たせた設計が可能となる。

SQM200N04-m1Lは電動パワーステアリングを含む高電力自動車モータードライブアプリケーションに適している。デバイスは100A、500mJの単一パルスアバランシェに耐えるよう設計・製造されている。

サンプル、製品は既に提供可能で、量産時の標準納期は14〜16週間。