SiCパワー半導体デバイス、特定技術分野の競合分析

パテント・リザルトは、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体デバイスの参入企業に関する調査結果を発表した。

シリコン(Si)を用いたパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は困難になりつつある。そのため絶縁破壊電圧が高いSiCやGaN(窒化ガリウム)を使うことで損失を抑えることが可能なワイドバンドギャップ型半導体が注目されている。

今回の調査では、特にSiCに着目し、2011年1月末時点でのSiCパワー半導体デバイス関連の特許を集計、各個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースに、特許の質と量から総合的に評価した。

総合力ランキングでは、1位はSiC基板に強いCREEだった。2位がデンソー、3位がパナソニック、4位が三菱電機だった。

5位には日産自動車がランクイン。電気自動車やハイブリッド車など電子化を進めていくなか、車載用パワー半導体デバイスに対する自社開発意欲が強いことを示した。