住友電気工業は、フランスのS.O.I. TEC シリコン・・オン・インスレーター・テクノロジー(Soitec)と低コストGaN(窒化ガリウム)基板を共同開発することで合意した。

住友電工の高品質GaN基板製造技術とSoitecのスマート・カット技術を組み合わせ、低コストで高品質な薄膜GaN基板を共同開発する。

具体的には、スマート・カット技術を使ってGaN基板に極薄の膜転写を繰り返し行うことで、1枚のGaN基板から複数枚の薄膜GaN基板を製造する。この薄膜GaN基板は、エピタキシャル成長によるデバイス層形成でも結晶品質を保持できる。

この技術を確立することで高輝度LED照明やハイブリッド車、電気自動車向けのパワーデバイスなどの分野でGaN基板の普及に結び付くと見ている。