ロームは、SiC(シリコンカーバイド)-トレンチMOSFETを搭載したモジュールと、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)を搭載したダイオードモジュールのモータへの内蔵・駆動に成功した。開発成果は10月5日から9日まで、千葉県・幕張メッセで開催される「CEATEC 2010」に展示する。

今回開発に成功したモジュールは、ローム独自の低オン抵抗SiCトレンチMOSFETとSiC-SBDを採用することで、従来のSiを使用したモジュールと比べて体積比で約半分と小型化を実現した。これにより200度の厳しい環境下でも動作が可能となり、モータへの内蔵を実現した。

ハイブリッド車(HV)、電気自動車(EV)などに代表されるパワーエレクトニクスの分野では、デバイス駆動時の電気エネルギーから機械エネルギーへの変換効率を上げることが最重要課題となっている。電子デバイスをモータ内に搭載して直接モータを駆動できれば、従来発生していたギアや駆動軸での損失を低減できる。

しかし、モータ内部は、200度近い高温の環境になるケースがあるため、従来のSiモジュールではモータ内で駆動ができなかった。200度を超える高温環境下でも駆動できるSiCモジュールならモータへのモジュール内蔵が可能となる。